3А531А6
Артикул: TOM1120
Описание «3А531А6»
Диоды арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером Шоттки, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
На основании положительной площадки ставится синяя точка. Голубая точка у основания другой контактной площадки обозначает тип диода.
Масса диода не более 0,01 г.
• Критическая частота переключения диода: не менее 120 ГГц;
• Общая емкость диода: не более 0,3 пФ;
• Прямое сопротивление потерь: не более 30 Ом;
• Накопленный заряд диода: не более 3 нКл;
• Пробивное напряжение: не менее 12 В;
• Индуктивность диода: не более 2 нГн;
• Постоянное обратное напряжение: не более 10 В;
• Постоянный прямой ток: не более 30 мА;
• Постоянная рассеиваемая мощность: не более 50 мВт;
• Импульсная рассеиваемая мощность: не более 100 мВт;
• Значение допустимого статического потенциала: 100 В;
• Температура окружающей среды: -60...+120 °С;
• Минимальная наработка: 25000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
Предназначены для применения в переключающих устройствах, сантиметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с жесткими выводами.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
На основании положительной площадки ставится синяя точка. Голубая точка у основания другой контактной площадки обозначает тип диода.
Масса диода не более 0,01 г.
• Критическая частота переключения диода: не менее 120 ГГц;
• Общая емкость диода: не более 0,3 пФ;
• Прямое сопротивление потерь: не более 30 Ом;
• Накопленный заряд диода: не более 3 нКл;
• Пробивное напряжение: не менее 12 В;
• Индуктивность диода: не более 2 нГн;
• Постоянное обратное напряжение: не более 10 В;
• Постоянный прямой ток: не более 30 мА;
• Постоянная рассеиваемая мощность: не более 50 мВт;
• Импульсная рассеиваемая мощность: не более 100 мВт;
• Значение допустимого статического потенциала: 100 В;
• Температура окружающей среды: -60...+120 °С;
• Минимальная наработка: 25000 ч;
• Срок сохраняемости: 25 лет
Характеристики «3А531А6»
Приемка: | ВП "5" |
Производитель: | ООО "НПП ТЭЗ" " Томилинский электронный завод |
Технические условия: | аАО.339.019ТУ |
Год выпуска: | от 2019 |